Els investigadors han desenvolupat un cos polar Grinsch nano-escala amb un índex de refracció graduada (Grinsch), i els investigadors esperen poder utilitzar els dispositius UV UV nanoeficients en el futur, com làsers, sensors òptics, modulació d'amplitud i Dispositius òptics. El dispositiu d'emissió de llum AlGaN existent es considera una font de llum UV que substitueix el làser UV existent i el llum UV que conté la substància tòxica. No obstant això, a causa del díode làser UV en el dispositiu, la tensió ha de tenir com a mínim 25 volts per funcionar, juntament amb la mala eficiència de la capa d'injecció, donant lloc a una resistència de sèrie alta, resultant en un rendiment limitat.
La raó està relacionada amb el recobriment semiconductor de tipus P de la capa d'alumini AlGaN i la manca de tubs de dissipació de calor efectius. La nano-escala AlGaN i la capa original de pel·lícula AlGaN, ja que la relació superficial d'alt volum, la formació d'una relaxació eficaç de l'estrès, pot estar directament a la matriu, inclosa l'extensió metàl·lica. Els substrats metàl·lics i metàl·lics, que estan revestits de silicona o safir, poden proporcionar millors tubs de dissipació de calor durant una alta operació actual. A més, els semiconductors de tipus N de grau nano a causa de l'addició de magnesi, la demanda energètica d'activació és baixa, de manera que la resistència és relativament petita. Un equip d'investigadors ha confirmat que el cos polar Grinsch és excel·lent tant en el rendiment òptic com en l'electró i que les resistències de tensió i de sèrie requerides també són més baixes que les dels cossos originals polars.
